TSM6N60CH C5G
Número de Producto del Fabricante:

TSM6N60CH C5G

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

TSM6N60CH C5G-DG

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventario:

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TSM6N60CH C5G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.25Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1248 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Información Adicional

Paquete Estándar
75
Otros nombres
TSM6N60CH C5G-DG
TSM6N60CHC5G

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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